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  光刻(photoetching or lithography)是通過一系列生產步驟,將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝。在此之后,晶圓表面會留下帶有微圖形結構的薄膜。通過光刻工藝過程,最終在晶圓上保留的是特征圖形部分。
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  公司提供電子束光刻、步進式光刻、接觸式光刻等光刻技術,線寬最小可達10nm,多種光刻結合的先進光刻理念,實現您不同尺寸的光刻需求。
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  電子束光刻:最小線寬50nm(成熟),適合在導電襯底、圖形面積小的圖形加工。
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  投影式光刻:stepper i7/i10/i12,最小線寬350nm,適合在標準圓片上有量加工。
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  接觸、接近式光刻:MA6/BA6光刻機,最小線寬1um,適合正反套刻,襯底包容性高。
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